6月13日音尘，国度学问产权局信息清楚，合肥晶书册成电路股份有限公司肯求一项名为“半导体领土结构及双栅氧化层制备措施”的专利。肯求公布号为CN122205953A，肯求号为CN202610663071.2，肯求公布日历为2026年6月12日，肯求日历为2026年5月14日，发明东说念主徐锐、宋聪强，专利代理机构华供取悦专利商标代理有限公司，专利代理师杨明莉，分类号H10D89/10、H10P76/20、H10D64/01。

专利纲目清楚，本公开波及半导体制造技艺领域，具体波及一种半导体领土结构及双栅氧化层制备措施，其中，第一光刻胶图形沿第一主义蔓延，沿第一主义的尺寸为L1，沿第二主义的尺寸为W1；第二光刻胶图形沿第二主义蔓延，沿第一主义的尺寸为W2，沿第二主义的尺寸为L2；在第一光刻胶图形与第二光刻胶图形相交的情况下，W1、W2均小于第一策画值，L1、L2均小于第二策画值；在W1、W2中至少一个大于便是第一策画值，或L1、L2中至少一个大于便是第二策画值的情况下，第一光刻胶图形与第二光刻胶图形的间距大于策画间距值，策画间距值关联于第二策画值与第一策画值的比值。至少大致灵验减少基于光刻胶刻蚀历程中的残留物，Kaiyun中国大陆官方网站入口幸免产生因残留物毁伤衬底。

晶书册成拓荒于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券来回所上市，注册地址和办公地址均波及安徽省合肥市。该公司是国内独特的12英寸晶圆代工企业，具备先进工艺研发与哄骗才调，投资价值突显。

晶书册成主要从事12英寸晶圆代工业务，专注于研发并哄骗先进工艺，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工奇迹。公司所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，波及MCU见地、MR头显、MiniLED等见地板块。

2025年，晶书册成交易收入为108.85亿元，行业排行4/7，行业第又名中芯海外为673.23亿元，第二名华虹宏力为172.91亿元，行业平均数为166.12亿元，中位数为108.85亿元。其主交易务组成中，集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元，占比95.14%。净利润方面，2025年为4.66亿元，行业排行4/7，行业第又名中芯海外为72.09亿元，第二名赛微电子为13.88亿元，行业平均数为9.67亿元，中位数为4.66亿元。

合肥晶书册成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利称呼专利类型法律状况肯求号肯求日历公开(公告)号公开(公告)日历发明东说念主1检索模子的检会措施、检索措施和电子拓荒发明专利公布CN202610674244.02026-05-15CN122198022A2026-06-12张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬2LDMOS器件的阈值电压的APC措施、系统、介质及家具发明专利公布CN202610667846.32026-05-15CN122205903A2026-06-12陈晓妍、王梦慧3一种半导体器件过甚制作措施发明专利公布CN202610660032.72026-05-14CN122205918A2026-06-12韩小虎、邓少鹏4半导体领土结构及双栅氧化层制备措施发明专利公布CN202610663071.22026-05-14CN122205953A2026-06-12徐锐、宋聪强5一种半导体器件过甚制作措施发明专利公布CN202610659999.32026-05-14CN122205917A2026-06-12韩小虎、邓少鹏6芯片布局模子的检会措施、芯片布局措施及关系安装发明专利公布CN202610646614.X2026-05-12CN122174775A2026-06-09郭雅静、张潇、王人天翔、萧礼明、蒋治纬7半导体结构及制备措施发明专利公布CN202610644817.52026-05-12CN122180135A2026-06-09巫振伟、汪雪春8一种半导体器件的测试措施及测试安装发明专利公布CN202610644841.92026-05-12CN122193862A2026-06-12刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲9光阻层的变成措施及半导体结构发明专利公布CN202610637283.32026-05-11CN122161422A2026-06-05赵志豪、李海峰、沈俊明10半导体结构、栅极结构的制备措施及裁汰劣势的措施发明专利公布CN202610627967.52026-05-09CN122180129A2026-06-09张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚11半导体结构及制备措施发明专利公布CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02胡文婷、许春龙、陈婉露12用于工艺监测的环节尺寸条形结构及环节尺寸监测措施发明专利公布CN202610605065.12026-05-06CN122138671A2026-06-02黄周远、许春龙、孟娟13OPC模子的编削措施、系统及诡计机可读存储介质发明专利公布CN202610590152.42026-04-30CN122113466A2026-05-29王康、罗招龙14一种光刻套刻纰谬的赔偿措施、系统和拓荒发明专利公布CN202610588770.52026-04-30CN122110631A2026-05-29何赵鑫、黄胜15深湛孔制备措施及背照式图像传感器的制备措施发明专利公布CN202610578907.92026-04-29CN122121294A2026-05-29郇小伟、金文祥、褚冉16一种掩膜领土优化措施、拓荒、存储介质及设施家具发明专利公布CN202610570245.02026-04-28CN122110595A2026-05-29赵广、罗招龙、张国乾17裁汰F离子注入在CIS家具上产生白像素的措施及系统发明专利试验审查的顺利、公布CN202610551158.02026-04-24CN122094205A2026-05-26吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽18半导体结构过甚制备措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610544911.32026-04-23CN122094153A2026-05-26王文智、王仲盛19半导体器件过甚制造措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610525621.42026-04-21CN122069775A2026-05-19运广涛、邵章一又、苏圣哲、罗钦贤20静态存储器的最小使命电压的瞻望措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610525469.X2026-04-21CN122067580A2026-05-19田志锋、沈洁21一种SRAM集成电路结构、静态立时存取存储器过甚制备措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610526758.12026-04-21CN122094097A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞22一种SRAM集成电路结构、静态立时存取存储器过甚制备措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610526755.82026-04-21CN122094096A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞23一种半导体结构的制备措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610516789.92026-04-20CN122069999A2026-05-19张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷24一种战斗孔过甚变成措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610516915.02026-04-20CN122070006A2026-05-19贾涛、董宗谕、王佳佳25半导体结构的制作措施及半导体结构发明专利试验审查的顺利、公布CN202610508501.32026-04-17CN122069766A2026-05-19高佑琳、高志杰、盛云、王瑞26半导体结构过甚制备措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610502429.32026-04-16CN122028719A2026-05-12李飞、董宗谕27半导体器件过甚制作措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610500449.72026-04-16CN122028718A2026-05-12李飞、董宗谕28一种半导体结构过甚制造措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610491922.X2026-04-15CN122054986A2026-05-15陈东、王晓娟、韩领、康绍磊29半导体结构过甚制备措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610479111.82026-04-13CN122028725A2026-05-12宋富冉、刘乃硕30光学左近效应修正模子的编削措施及数据收集措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610476328.32026-04-13CN122018227A2026-05-12王康、罗招龙31电性测试结构过甚测试措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610476299.02026-04-13CN122028713A2026-05-12刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼32伽马电阻的阻值波动的监控措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610475623.72026-04-13CN122028712A2026-05-12李健、邵迎亚、汪雪春33一种半导体芯片的领土联想措施及领土联想系统发明专利试验审查的顺利、公布CN202610475734.82026-04-13CN122047157A2026-05-15杨杰、郭哲劭、郭廷晃34黄光制程曝光能量详情措施、电子拓荒和存储介质发明专利试验审查的顺利、公布CN202610466856.02026-04-10CN121995712A2026-05-08胡玉明35一种半导体结构的制备措施和半导体结构发明专利试验审查的顺利、公布CN202610466026.82026-04-10CN122003143A2026-05-08李雯琴、王文轩36一种化学气相千里积拓荒过甚温度扬弃措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610468112.22026-04-10CN122013156A2026-05-12黄看看、王松、周丹玫、胡万春37晶体管结构过甚制备措施发明专利公布CN202610468691.02026-04-10CN122121263A2026-05-29张帅博、郭廷晃38铝衬垫制备措施及半导体发明专利试验审查的顺利、公布CN202610460164.52026-04-09CN121985860A2026-05-05张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕39一种去除自瞄准硅化物中未响应镍铂合金的措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610458132.12026-04-09CN121985755A2026-05-05曹平、刘苏涛40半导体器件的劣势测试措施和半导体器件发明专利试验审查的顺利、公布CN202610460537.92026-04-09CN122003137A2026-05-08董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀41半导体结构、制备措施、键合措施及半导体器件发明专利试验审查的顺利、公布CN202610449908.32026-04-08CN121985808A2026-05-05伍德超、郝小强、梁健42套刻绮丽结构过甚制造措施、套刻绮丽尺寸选拔措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610442492.22026-04-07CN121978874A2026-05-05刘华龙、张祥平43半浮栅晶体管过甚制备措施、包含其的存储器件发明专利试验审查的顺利、公布CN202610432589.52026-04-03CN121968657A2026-05-01李猛猛44LDMOS器件过甚制备措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610433072.82026-04-03CN121968623A2026-05-01刘东山、吴其洪45半导体结构制备措施及半导体结构发明专利试验审查的顺利、公布CN202610435065.12026-04-03CN121985805A2026-05-05王文智46电容结构过甚制造措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610436485.12026-04-03CN121985540A2026-05-05刘曙光、蔡承佑、丁好意思平、陆莹莹、周迪47半导体测试结构及措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610425182.X2026-04-02CN121969117A2026-05-01陈文璟、邵迎亚、汪雪春48半导体测试结构及厚度测量措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610427694.X2026-04-02CN121969118A2026-05-01张盖、王雪、梁栋栋49图像传感结构、传感器及制备措施发明专利试验审查的顺利、公布CN202610416871.42026-04-01CN121968751A2026-05-01陈维邦50一种半导体拓荒参数举座变差自动识别措施及系统发明专利试验审查的顺利、公布CN202610419236.12026-04-01CN121959384A2026-05-01姚晨辉、李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟Kaiyun中国大陆官方网站入口

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